新闻网讯（通讯员金旭荣、邵晨）5月15日，剑桥大学电子电气工程系主任、英国皇家科学院院士John Robertson（约翰·罗伯森）教授作客“珞珈讲坛”第293讲，带来一场题为“Future Electronic Devices And Where New Materials Can Help”（电子工程的未来与新材料理论研究）的讲座。
约翰·罗伯森从半导体产业的发展历史谈起，介绍了半导体产业继续发展面临的难题。他指出，半导体行业发展中是通过不断缩小器件的尺寸来达到提高计算机芯片性能的目的，在此过程中并未改变过以硅（Si）和二氧化硅（SiO2）作为半导体和绝缘体的器件材料这一主体结构，而硅材料的局限性使电子器件的发展遭遇到了瓶颈。
约翰·罗伯森详细介绍了现阶段半导体行业的发展前沿。他说，半导体行业采用新型材料二氧化铪（HfO2）作为栅极绝缘体材料并改用铜布线的技术，可以进一步缩小器件尺寸将场效应管技术推进至7到5纳米级别。而在市场需求方面，他认为，存储器件将替代逻辑器件的位置，成为未来高性能器件的主要需求方向，逻辑器件本身则将主要依靠量子计算技术得以进一步发展。约翰·罗伯森还重点介绍了二硫化钼（MoS2）等二维材料和新型铁电材料存贮器件，并预测了未来二十年半导体器件的发展方向和发展中可能遇到的技术难题。
约翰·罗伯森是英国皇家科学院院士、美国物理协会（APS）会士、国际电气与电子工程师学会（IEEE） 会士、Material Research Society（MRS）会士。其主要研究方向包括材料物理学、界面科学以及表界面电子学，长期从事类金刚石薄膜材料、碳纳米管、线材料和陶瓷薄膜材料领域研究，并取得了大量重要研究成果。先后获得洪堡奖等多项国际重要奖项，发表学术论文600余篇，引用超过33000次，H指数高达106。现担任多个国际期刊编辑委员。
（摄影：屈波 编辑：周丽园）
